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J-GLOBAL ID：200902015531401050   Reference number：88A0158990

ЯМР ²⁰³Tl и ²⁰⁵Tl в тройных слоистых полупроводниках TlInS₂, TlGaS₂ и TlGaSe₂.

三次層状半導体TlInS₂,TlGaS₂,TlGaSe₂における²⁰³Tlと²⁰⁵Tl核のNMR

Author (4)： PANICH A M ,  GABCHDA S P ,  MAMEDOV N T ,  ALIEV S N
Material： Fizika Tverdogo Tela  (FTT)
Volume： 29  Issue： 12  Page： 3694-3696  Publication year： Dec. 1987 
JST Material Number： R0029B  ISSN： 0367-3294  CODEN： FTVTA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Russian Federation (RUS)  Language： RUSSIAN (RU)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (1)： NMR of other inorganic compounds  (BM07043Z)

Terms in the title (3)： 層状 ,  核 ,  NMR