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J-GLOBAL ID：200902015538136149   Reference number：91A0033861

DLTS of defects created in GaAs by Fe-ion implantation.

Feイオン注入によってGaAsに形成される欠陥のDLTS

Author (4)： TANIWAKI MASAFUMI (北大 工) ,  KOIDE HIDETO (北大 工) ,  YOSHIDA HIROYUKI (京大 原子炉実験所) ,  HAYASHI YOSHIHIKO (京大 原子炉実験所)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 51st  Issue： 3  Page： 1124  Publication year： Sep. 1990 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： Feイオン ,  注入 ,  GaAs ,  欠陥 ,  DLTS