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J-GLOBAL ID：200902015545585285   Reference number：87A0451616

Direct subpicosecond measurement of carrier mobility of photoexcited electrons in gallium arsenide.

ひ化ガリウムにおける光励起電子のキャリア移動度の直接サブピコ秒測定

Author (3)： NUSS M C (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  AUSTON D H (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  CAPASSO F (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 58  Issue： 22  Page： 2355-2358  Publication year： Jun. 01, 1987 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： carrier

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JST classification (1)： Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (5)： ひ化ガリウム ,  光励起 ,  電子 ,  キャリア移動度 ,  サブピコ秒