Art

J-GLOBAL ID：200902015550921480   Reference number：88A0567713

Optimization of the static and frequency characteristics of high-power semiconductor devices by creation of local zones of high recombination in the base regions.

高パワー半導体のベース領域に局所的な高再結合領域を発生させて静特性と周波数特性を最適化する方法

Author (6)： VOLLE V M (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN) ,  VORONKOV V B (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN) ,  GREKHOV I V (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN) ,  GUSINSKII G M (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN) ,  KOZLOV V A (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN) ,  NAIDENOV V O (A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad, SUN)
Material： Soviet Physics-Technical Physics  (Sov Phys Tech Phys)
Volume： 32  Issue： 10  Page： 1158-1160  Publication year： Oct. 1987 
JST Material Number： E0952A  ISSN： 0038-5662  CODEN： SPTPA3  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： base(semiconductor) ,...
Semi thesaurus term： PNPN junction

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=88A0567713&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0952A") }}

JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Thyristors  (NC03060C)

Terms in the title (6)： パワー半導体 ,  ベース領域 ,  結合領域 ,  静特性 ,  周波数特性 ,  最適化