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J-GLOBAL ID：200902015556955807   Reference number：86A0236794

On the influence of an external D.C. substrate bias on boron and phosphorus doping efficiencies in a-Si:H.

a-Si:Hのほう素とりんのドーピング効率に及ぼす外部dc基板バイアスの効果

Author (5)： ALVAREZ F (UNICAMP, Brazil) ,  CHAMBOULEYRON I (UNICAMP, Brazil) ,  GOBBI A (UNICAMP, Brazil) ,  MENDONCA C (UNICAMP, Brazil) ,  CASTRO F L (UNICAMP, Brazil)
Material： Journal of Non-Crystalline Solids  (J Non-Cryst Solid)
Volume： 77/78  Issue： Pt1  Page： 527-530  Publication year： Dec. 1985 
JST Material Number： D0642A  ISSN： 0022-3093  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (3)： Electric conduction in amorphous and liquid semiconductors  (BM03042G) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (6)： Si ,  ほう素 ,  りん ,  ドーピング ,  DC ,  基板バイアス