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J-GLOBAL ID：200902015557693083   Reference number：92A0277051

Photoelectrochemical depth profiling of molecular beam epitaxy grown group III-V heterostructures.

分子ビームエピタクシーで成長させたIII-Vヘテロ構造の光電気化学的深さプロフィリング

Author (5)： WEI C (Univ. Texas at Arlington, Texas) ,  RAJESHWAR K (Univ. Texas at Arlington, Texas) ,  ALAVI K (Univ. Texas at Arlington, Texas) ,  PATHAK R N (Univ. Texas at Arlington, Texas) ,  WANG L T (Univ. Texas at Arlington, Texas)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 60  Issue： 11  Page： 1348-1350  Publication year： Mar. 16, 1992 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...
Semi thesaurus term： forbidden band ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Terms in the title (5)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  ヘテロ構造 ,  光電気化学 ,  深さプロフィリング