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J-GLOBAL ID：200902015558763735   Reference number：92A0349684

X-ray characterization of ion-implanted and rapid thermal annealed silicon.

イオン注入後高速熱アニールしたシリコンのX線による特性評価
Author (2)：
HART L

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(NEC Corp., Ibaraki, JPN)

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MATSUI J

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Material：
Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)

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Volume： 7  Issue： 3  Page： 291-296  Publication year： Mar. 1992 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)
Thesaurus term：
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silicon

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Category name(code) classified by JST.
Irradiational changes semiconductors 
(BK16123E)

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