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J-GLOBAL ID：200902015560315456   Reference number：90A0587352

Infrared absorption of deep defects in molecular-beam-epitaxial GaAs layers grown at 200°C: Observation of an EL2-like defect.

200°Cで分子ビームエピタクシー成長したGaAs層における深準位欠陥の赤外吸収 EL2型欠陥の観測

Author (4)： MANASREH M O (Wright-Patterson Air Force Base, Ohio) ,  LOOK D C (Wright State Univ., Ohio) ,  EVANS K R (Universal Energy System Inc.) ,  STUTZ C E (Wright-Patterson Air Force Base, Ohio)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 41  Issue： 14  Page： 10272-10275  Publication year： May. 15, 1990 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： deep level ,...
Semi thesaurus term： EL2

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JST classification (1)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタクシー成長 ,  GaAs ,  深準位 ,  欠陥 ,  赤外吸収 ,  観測