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J-GLOBAL ID：200902015575775780   Reference number：89A0464763

Arsenic flux interruptions: Induced RHEED oscillations and measurements of As coverage on the growing (001) MBE GaAs surface.

ひ素ガス流束の中断 RHEED振動誘起とMBE成長中の(001)GaAs表面のAs被覆の測定

Author (4)： FARLEY C W (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  SULLIVAN G J (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  MONDRY M J (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  MILLER D L (Rockwell International Science Center, CA, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 96  Issue： 1  Page： 19-26  Publication year： May. 1989 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...
Semi thesaurus term： RHEED振動

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electron diffraction methods  (BK01030T)

Terms in the title (7)： ひ素 ,  流束 ,  中断 ,  RHEED振動 ,  誘起 ,  MBE成長 ,  GaAs