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J-GLOBAL ID：200902015576983750   Reference number：87A0445028

Stable, self-aligned TiN_xO_y/TiSi₂ contact formation for submicron device applications.

サブミクロン素子応用のための安定なセルフアライン型TiN_xO_y/TiSi₂接触形成

Author (6)： KU Y H (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  LOUIS E (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  SHIH D K (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  LEE S K (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  KWONG D L (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  ALVI N S (Delco Electronics, IN, USA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 50  Issue： 22  Page： 1598-1600  Publication year： Jun. 01, 1987 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicide ,...
Semi thesaurus term： サブミクロン構造

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JST classification (1)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (3)： サブ ,  応用 ,  セルフアライン