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J-GLOBAL ID：200902015577952751   Reference number：92A0229591

Electrical characterization of shallow arsenic profiles using SRP2.

SRP2を用いた浅いひ素分布の電気特性の評価

Author (4)： SUBRAHMANYAN R (Motorola, Inc., Texas) ,  BERKOWITZ H (Solid State Measurements, Inc., Pennsylvania) ,  HEDDLESON J (Solid State Measurements, Inc., Pennsylvania) ,  RAI-CHOUDHURY P (Solid State Measurements, Inc., Pennsylvania)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 10  Issue： 1  Page： 442-448  Publication year： Jan. 1992 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dopant ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (4)： ひ素 ,  分布 ,  電気特性 ,  評価