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J-GLOBAL ID：200902015578756344   Reference number：91A0514430

Transmission electron microscopy characterization of the initial stage of epitaxial growth of GaP on Si by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition.

減圧有機金属化学蒸着によるSi上GaPのエピタキシャル成長の初期段階の透過電子顕微鏡による評価

Author (6)： SOGA T (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  GEORGE T (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  SUZUKI T (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  WEBER E R (Univ. California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 58  Issue： 19  Page： 2108-2110  Publication year： May. 13, 1991 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： LPCVD ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 減圧 ,  有機金属化学蒸着 ,  Si ,  GAP ,  エピタキシャル成長 ,  初期段階 ,  透過電子顕微鏡 ,  評価