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J-GLOBAL ID：200902015581975138   Reference number：90A0723926

Two-dimensional simulation of band-to-band tunneling in an LDD-MOSFET: Explanation of experimental results and prediction of new phenomena.

LDD-MOSFETにおけるバンドからバンドへのトンネル現象の二次元近似 実験結果の説明と新現象の予測

Author (4)： ORLOWSKI M (Motorola, Inc., Texas) ,  SUN S W (Motorola, Inc., Texas) ,  BLAKEY P (Motorola, Inc., Texas) ,  SUBRAHMANYAN R (Motorola, Inc., Texas)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 1990  Page： 67-68  Publication year： 1990 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： LDD

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  界面の電気的性質一般【’81~’92】  (BM03071W)

Terms in the title (8)： MOSFET ,  バンド ,  トンネル現象 ,  近似 ,  実験結果 ,  説明 ,  現象 ,  予測