Art

J-GLOBAL ID：200902015598054834   Reference number：91A0395076

An energy filter using InAs/GaSb double potential barrier.

InAs/GaSb二重ポテンシャル障壁を用いたエネルギーフィルタ

Author (4)： NAKAMURA KENJI (キヤノン 中研) ,  SHIMIZU AKIRA (キヤノン 中研) ,  KOSHIBA MASANORI (北大 工) ,  HAYATA KAZUYA (北大 工)
Material： 電子情報通信学会全国大会講演論文集  (電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集)
Volume： 1991  Issue： Spring Pt 5  Page： 5.292  Publication year： Mar. 1991 
JST Material Number： G0508A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： potential barrier ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0395076&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0508A") }}

JST classification (1)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (4)： InAs ,  GaSb ,  ポテンシャル障壁 ,  エネルギーフィルタ