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J-GLOBAL ID：200902015607121671   Reference number：93A0284088

Design of 1.3μm InGaAsP/InP Ridge Waveguide Laser Diode With Reduced Leakage Current Using Lateral p-n Junctions.

横方向p-n接合で漏れ電流を減らした1,3μmInGaAsP/InPリッジ導波管レーザダイオード設計

Author (3)： DO M H (Ajou Univ.) ,  KIM S B (Ajou Univ.) ,  CHUNG S K (Ajou Univ.)
Material： Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. A  (Denshi Kogakkai Ronbunshi-A)
Volume： 29  Issue： 12  Page： 1171-1181  Publication year： Dec. 1992 
JST Material Number： H0632B  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Korea, Republic of (KOR)  Language： KOREAN (KO)

Thesaurus term： semiconductor laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (7)： 横方向 ,  p-n接合 ,  漏れ電流 ,  InP ,  リッジ導波管 ,  レーザダイオード ,  設計