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J-GLOBAL ID：200902015611211766   Reference number：86A0106715

GaAs/(GaAl)As heterojunction bipolar transistors using a self-aligned substitutional emitter process.

自己整合置換エミッタ・プロセス法を用いたGaAs/(GaAl)Asヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Author (4)： CHANG M F (Rockwell International Corp., CA) ,  ASBECK M (Rockwell International Corp., CA) ,  MILLER D L (Rockwell International Corp., CA) ,  WANG K C (Rockwell International Corp., CA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 7  Issue： 1  Page： 8-10  Publication year： Jan. 1986 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： heterojunction ,...
Semi thesaurus term： lift-off

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 自己整合 ,  置換 ,  エミッタ ,  プロセス ,  GaAs ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ