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J-GLOBAL ID：200902015630576660   Reference number：90A0066199

Interaction of thin Ga overlayer with InP(110): A photoemission study.

Author (5)： CAO R (Stanford Univ., CA) ,  MIYANO K (Stanford Univ., CA) ,  KENDELEWICZ T (Stanford Univ., CA) ,  LINDAU I (Stanford Univ., CA) ,  SPICER W E (Stanford Univ., CA)
Material： Synchrotron Radiation in Materials Research  (Synchrotron Radiat Mater Res)
Page： 103-108  Publication year： 1989 
JST Material Number： K19890559  ISBN： 1-55899-016-X  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (2)： Ga ,  InP