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J-GLOBAL ID：200902015662464081   Reference number：93A0751770

Low-resistivity amorphous silicon for contacts using low-temperature rapid thermal annealing.

Author (4)： KNOCH L (Motorola Inc., AZ) ,  TAM G (Motorola Inc., AZ) ,  THEODORE N D (Motorola Inc., AZ) ,  PENNELL R (Motorola Inc., AZ)
Material： Amorphous Silicon Technology - 1992  (Amorph Silicon Tech 1992)
Page： 99-104  Publication year： 1992 
JST Material Number： K19930422  ISBN： 1-55899-153-0  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (1)： RaPID