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J-GLOBAL ID：200902015674783662   Reference number：93A0009230

Modeling Hot-Electron Gate Current in Si MOSFET’s Using a Coupled Drift-Diffusion and Monte Carlo Method.

結合ドリフト・拡散/モンテカルロ方法を用いたSi MOSFETのホットエレクトロン・ゲート電流のモデル化

Author (5)： HUANG C (National Chiao-Tung Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  WANG T (National Chiao-Tung Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  CHEN C N (Industrial Technology Research Inst., Hsin-Chu, TWN) ,  CHANG M C (Industrial Technology Research Inst., Hsin-Chu, TWN) ,  FU J (Industrial Technology Research Inst., Hsin-Chu, TWN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 39  Issue： 11  Page： 2562-2568  Publication year： Nov. 1992 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： ドリフト ,  拡散 ,  モンテカルロ ,  Si ,  MOSFET ,  ホットエレクトロン ,  ゲート電流 ,  モデル化