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J-GLOBAL ID：200902015682907079   Reference number：92A0423266

Characterization of InGaP/InGaAlP quantum wells grown on misoriented substrates.

傾斜基板上に成長したInGaP/InGaAlP量子井戸構造の評価

Author (3)： WATANABE MINORU (東芝 総研) ,  OKAJIMA MASAKI (東芝 総研) ,  HATAKOSHI GEN'ICHI (東芝 総研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 39th  Issue： Pt 1  Page： 262  Publication year： Mar. 1992 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： 成長 ,  InGaP ,  量子井戸 ,  評価