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J-GLOBAL ID：200902015686942260   Reference number：90A0206393

Critical thickness in epitaxial CdTe/ZnTe.

エピタキシャルCdTe/ZnTeにおける臨界膜厚

Author (7)： CIBERT J (Lab. Spectrometrie Physique, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  GOBIL Y (Lab. Spectrometrie Physique, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  DANG L S (Lab. Spectrometrie Physique, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  TATARENKO S (Lab. Spectrometrie Physique, Saint Martin d’Heres, FRA) ,  FEUILLET G (Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, Grenoble, FRA) ,  JOUNEAU P H (Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, Grenoble, FRA) ,  SAMINADAYAR K (Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, Grenoble, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 56  Issue： 3  Page： 292-294  Publication year： Jan. 15, 1990 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (5)： エピタキシャル ,  CdTe ,  ZnTe ,  臨界 ,  膜厚