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J-GLOBAL ID：200902015708449902   Reference number：90A0144260

A new device structure utilizing atomic layer doping (ALD) technology in Si systems.

原子層的ドープ(ALD)技術をSi系に利用した素子の新しい構造

Author (3)： YAMAGUCHI K (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  NAKAGAWA K (Hitachi Ltd., Tokyo) ,  SHIRAKI Y (Hitachi Ltd., Tokyo)
Material： Extended Abstracts of the 20th (1988 International) Conference on Solid State Devices and Materials  (Ext Abstr 20th 1988 Int Conf Solid State Devices Mater)
Page： 17-20  Publication year： 1988 
JST Material Number： K19890621  ISBN： 4-930813-27-1  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： doping ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 原子層 ,  ドープ ,  ALD ,  Si