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J-GLOBAL ID：200902015727150764   Reference number：92A0123234

Bonding state of carbon in silicon carbide film grown by hydrogen radical enhanced CVD.

水素ラジカルCVD法によるSiC膜内のカーボンの結合状態

Author (3)： YASUI KOJI (長岡技科大) ,  FUJITA AKIRA (長岡技科大) ,  AKAHANE TADASHI (長岡技科大)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 52nd  Issue： 2  Page： 787  Publication year： Oct. 1991 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： 水素ラジカル ,  CVD法 ,  SiC ,  カーボン ,  結合状態