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J-GLOBAL ID：200902018898090300   Reference number：91A0076284

Transverse currents and contact resistances in the quantum Hall regime of Si-MOS structures.

Si-MOS構造の量子Hall領域における横方向電流と接触抵抗

Author (5)： NACHTWEI G (Humboldt-Univ. Berlin, Berlin, DDR) ,  BREITLOW C (Humboldt-Univ. Berlin, Berlin, DDR) ,  SALCHOW O (Humboldt-Univ. Berlin, Berlin, DDR) ,  KRUEGER H (Ingenieurhochschule Berlin, Berlin, DDR) ,  HERRMANN R (Humboldt-Univ. Berlin, Berlin, DDR)
Material： Semiconductor Science and Technology  (Semicond Sci Technol)
Volume： 5  Issue： 11  Page： 1088-1092  Publication year： Nov. 1990 
JST Material Number： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： General theory of electronic transport  (BM03020C) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (5)： Si ,  MOS構造 ,  量子 ,  横方向 ,  接触抵抗