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J-GLOBAL ID：200902023185853618   Reference number：90A0158419

1-D MOSFET simulation featuring dynamic timestep and spatial discretisation control.

時間及び空間刻みのダイナミック制御法の検討と一次元MOSFETシミュレーション

Author (2)： SEVAT M (Philips K.K.) ,  MASUDA H (Hitachi Ltd.)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 89  Issue： 202(VLD89 49-59)  Page： 53-57  Publication year： Sep. 21, 1989 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 制御法 ,  MOSFET ,  シミュレーション