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J-GLOBAL ID：200902023207172709   Reference number：91A0325264

Improvement of InP crystal quality grown on GaAs substrates and device applications.

GaAs基板上に成長させたInP結晶品質の改善とデバイス応用

Author (7)： KIMURA T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  KIMURA T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  ISHIMURA E (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  UESUGI F (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TSUGAMI M (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIZUGUCHI K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MUROTANI T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 107  Issue： 1/4  Page： 827-831  Publication year： Jan. 1991 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,...

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JST classification (4)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Photodetectors  (NC03083X)

Terms in the title (5)： GaAs基板 ,  成長 ,  InP ,  結晶品質 ,  応用