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J-GLOBAL ID：200902023213172702   Reference number：90A0581876

Interface and bulk trap generation in metal-oxide-semiconductor capacitors.

金属-酸化物-半導体キャパシタにおける界面およびバルク捕獲中心の発生

Author (2)： BUCHANAN D A (IBM East Fishkill, New York) ,  DIMARIA D J (IBM T.J. Watson Research Center, New York)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 67  Issue： 12  Page： 7439-7452  Publication year： Jun. 15, 1990 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOS structure ,...

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JST classification (1)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (5)： 酸化物 ,  キャパシタ ,  界面 ,  バルク ,  捕獲中心