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J-GLOBAL ID：200902023232903750   Reference number：86A0184900

SIMS depth profiling of multilayer metal-oxide thin films-improved accuracy using a xenon primary ion.

SIMSによる多層金属-酸化物薄膜の深さ分布測定-キセノン1次イオン使用による精度向上

Author (8)： MCINTYRE N S (Univ. Western Ontario, Canada) ,  JOHNSTON D (Univ. Western Ontario, Canada) ,  CHAUVIN W J (Univ. Western Ontario, Canada) ,  LAU W M (Univ. Western Ontario, Canada) ,  NIETERING K (Ford Motor Co., MI) ,  SCHUETZLE D (Ford Motor Co., MI) ,  SHANKAR K (Univ. Guelph, Canada) ,  MACDONALD J E (Univ. Guelph, Canada)
Material： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
Volume： 12  Issue： 3  Page： 389-395  Publication year： Oct. 1985 
JST Material Number： H0899A  ISSN： 0168-583X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： mass spectrometry ,...
Semi thesaurus term： SIMS

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Interactions with ions  (BK16070Z)

Terms in the title (7)： SIMS ,  多層 ,  酸化物薄膜 ,  深さ分布 ,  キセノン ,  イオン ,  精度向上