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J-GLOBAL ID：200902023274164699   Reference number：83A0372835

Extremely uniform GaAs-AlGaAs heterostructure layers with high optical quality by molecular beam epitaxy.

分子ビームエピタクシーによる優れた光学品質をもつ極めて一様性の良いGaAs-AlGaAsヘテロ構造層

Author (7)： FUJII T (Fujitsu Ltd., Kawasaki) ,  HIYAMIZU S (Fujitsu Ltd., Kawasaki) ,  WADA O (Fujitsu Ltd., Kawasaki) ,  SUGAHARA T (Fujitsu Ltd., Kawasaki) ,  YAMAKOSHI S (Fujitsu Ltd., Kawasaki) ,  SAKURAI T (Fujitsu Ltd., Kawasaki) ,  HASHIMOTO H (Fujitsu Ltd., Kawasaki)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 61  Issue： 2  Page： 393-396  Publication year： Mar. 1983 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...
Semi thesaurus term： molecular beam epitaxy ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Optical integrated circuits,integrated optics  (BD06050D)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタクシー ,  光学品質 ,  一様性 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  ヘテロ構造