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J-GLOBAL ID：200902023305257739   Reference number：82A0058275

Electrical characteristics of Al contact to NiSi using thin W layer as a barrier.

Wの薄層を障壁として用いたNiSiへのAl接触の電気的特性

Author (2)： BARTUR M (California Inst. Technology) ,  NICOLET M-A (California Inst. Technology)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 39  Issue： 10  Page： 822-824  Publication year： Nov. 15, 1981 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： tungsten ,...

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JST classification (1)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

Terms in the title (4)： 薄層 ,  障壁 ,  Al ,  電気的特性