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J-GLOBAL ID：200902051394601441   Reference number：86A0298414

Formation and properties of (Au, Al, Ag, In) (InP-GaAs) Schottky diodes; Contribution of the semiconductor surface to the diode characteristics.

(Au,Al,Ag,In)(In-GaAs)Schottkyダイオードの形成と特性 ダイオード特性への半導体表面の寄与

Author (4)： LASSABATERE L (U.S.T.L., France) ,  ISMAIL A (U.S.T.L., France) ,  PALAU J M (U.S.T.L., France) ,  BRAHIM A B (U.S.T.L., France)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 168  Issue： 1/3  Page： 336-346  Publication year： Mar. 1986 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Schottky barrier diode ,...

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JST classification (1)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

Terms in the title (7)： Au ,  Al ,  Ag ,  GaAs ,  Schottkyダイオード ,  ダイオード特性 ,  半導体表面