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J-GLOBAL ID：200902131007392612   Reference number：98A0559793

Low-Pressure MOVPE Growth of GaN-Based Materials on SiC Substrates.

減圧MOVPE法によるSiC基板上のGaN系結晶の成長とその評価

Author (3)： KURAMATA AKITO (富士通研) ,  HORINO KAZUHIKO (富士通研) ,  TANAHASHI TOSHIYUKI (富士通研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 45th  Issue： 0  Page： 19  Publication year： Mar. 1998 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (7)： 減圧 ,  MOVPE ,  SiC基板 ,  GaN ,  結晶 ,  成長 ,  評価