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J-GLOBAL ID：200902131007703715   Reference number：96A0420273

Electron Beam Emission from .DELTA.-doped n+-GaAs/p+-GaAs Field Emitters.

δ-ドープn⁺-GaAs/p⁺-GaAsフィールドエミッタからの電子放出

Author (4)： OSHIMA TAKASHI (日立 中研) ,  MISHIMA TOMOYOSHI (日立 中研) ,  NISHIYAMA HIDETOSHI (日立 中研) ,  KURODA KATSUHIRO (日立 中研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 43rd  Issue： 2  Page： 606  Publication year： Mar. 1996 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： ドープ ,  GaAs ,  フィールドエミッタ ,  電子放出