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J-GLOBAL ID：200902131010362082   Reference number：97A0008682

UHV-CVD Ge/Si(100) heteroepitaxy monitored by in situ ellipsometry.

UHV-CVDによるGe/Siのヘテロエピタクシーのその場偏光解析法によるモニタ

Author (4)： LARCIPRETE R (ENEA, Frascati(RM), ITA) ,  COZZI S (ENEA, Frascati(RM), ITA) ,  MASETTI E (ENEA, Santa Maria di Galeria, (RM), ITA) ,  MONTECCHI M (ENEA, Santa Maria di Galeria, (RM), ITA)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 102  Page： 52-56  Publication year： Aug. 1996 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Polarimetry and polarimeters  (BD07050K)

Terms in the title (7)： UHV ,  CVD ,  Ge ,  Si ,  ヘテロエピタクシー ,  偏光解析法 ,  モニタ