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J-GLOBAL ID：200902131010408970   Reference number：97A0194377

Fabrication of metal-oxide-semiconductor devices with extreme ultraviolet lithography.

極端紫外線リソグラフィーによる金属-酸化物-半導体デバイスの製作

Author (9)： NGUYEN K B (Sandia National Lab., California) ,  CARDINALE G F (Sandia National Lab., California) ,  TICHENOR D A (Sandia National Lab., California) ,  KRENZ K (Sandia National Lab., California) ,  FUJIOKA H (Univ. California, California) ,  HU C (Univ. California, California) ,  BOKOR J (Univ. California, California) ,  TENNANT D M (Bell Lab., New Jersey) ,  FETTER L A (Bell Lab., New Jersey)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics Processing and Phenomena)
Volume： 14  Issue： 6  Page： 4188-4192  Publication year： Nov. 1996 
JST Material Number： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photolithography ,...
Semi thesaurus term： EUVリソグラフィー

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 極端紫外線リソグラフィー ,  酸化物 ,  半導体デバイス ,  製作