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J-GLOBAL ID：200902131012536673   Reference number：95A0857591

Surface passivation effects of GaAs with (NH₄)₂S_x and PS/(NH₄)₂S_x.

(NH₄)₂S_x及びP₂S₅/(NH₄)₂S_xによるGaAs表面の不動態化

Author (5)： CHEN W-D (Inst. Semiconductors, Acad. Sinica, Beijing) ,  JIN G-L (Inst. Semiconductors, Acad. Sinica, Beijing) ,  GAO Z-Q (State Key Lab. Surface Physics, Acad. Sinica, Beijing) ,  CUI Y-D (Inst. Semiconductors, Acad. Sinica, Beijing) ,  DUAN L-H (Inst. Semiconductors, Acad. Sinica, Beijing)
Material： Wuli Xuebao  (Butsuri Gakuho)
Volume： 44  Issue： 8  Page： 1328-1334  Publication year： Aug. 1995 
JST Material Number： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： China (CHN)  Language： CHINESE (ZH)

Thesaurus term： gallium arsenide ,  compound semiconductor ,  passivation ,  sulfide(chalcogenide) ,  phosphorus sulfide ,  ammonium compound ,  oxidation resistance ,  photoluminescence ,  X-ray photoelectron spectrum ,  Auger spectrum
Semi thesaurus term： ammonium sulfide

JST classification (1)： Techniques for samples  (BA02070O)

Terms in the title (3)： P2S5 ,  GaAs ,  不動態化