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J-GLOBAL ID：200902131021813396   Reference number：96A0656436

Electronic devices based on GaN-AlGaN material system.

GaN-AlGaN材料系に基づいた電子デバイス

Author (5)： KHAN M A (APA Optics Inc., MN) ,  CHEN Q (APA Optics Inc., MN) ,  YANG J W (APA Optics Inc., MN) ,  SUN C J (APA Optics Inc., MN) ,  SHUR M S (Univ. Virginia, VA)
Material： Institute of Physics Conference Series  (Inst Phys Conf Ser)
Issue： 142  Page： 985-990  Publication year： 1996 
JST Material Number： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： GaN ,  AlGaN ,  電子デバイス