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J-GLOBAL ID：200902131024376396   Reference number：01A0295267

Visible and band edge electroluminescence from indium tin oxide/SiO₂/Si metal-oxide-semiconductor structures.

酸化インジウムすず/SiO₂/Si金属-酸化物-半導体構造からの可視およびバンド端エレクトロルミネセンス

Author (5)： CHEN M-J (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN C-F (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIU W T (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHANG S T (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIU C W (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 89  Issue： 1  Page： 323-326  Publication year： Jan. 01, 2001 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon dioxide ,...
Semi thesaurus term： ITO(solid solution)

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (6)： 酸化インジウムすず ,  SiO2 ,  Si ,  酸化物 ,  バンド端 ,  エレクトロルミネセンス