Art

J-GLOBAL ID：200902131031727048   Reference number：02A0633430

Series Resistance Calculation for Source/Drain Extension Regions Using 2-D Device Simulation.

2-Dデバイスシミュレーションを用いた,ソース/ドレイン延在領域に対する直列抵抗値の計算

Author (5)： KWONG M Y (Stanford Univ., CA) ,  CHOI C-H (Stanford Univ., CA) ,  KASNAVI R (Stanford Univ., CA) ,  GRIFFIN P (Stanford Univ., CA) ,  DUTTON R W (Stanford Univ., CA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 49  Issue： 7  Page： 1219-1226  Publication year： Jul. 2002 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： デバイスシミュレーション ,  ソース ,  ドレイン ,  直列抵抗 ,  計算