Art
J-GLOBAL ID：200902131041644515
Reference number：97A0603792
О реализации состояния типа сильно легированного полностью компенсированного полупроводника в кристаллическом полупроводнике с глубокой примесной зоной.
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Author (3)：
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Material：
Volume：
111
Issue：
2
Page：
562-574
Publication year：
Feb. 1997
JST Material Number：
R0135A
ISSN：
0044-4510
CODEN：
ZETFA
Document type：
Article
Country of issue：
Russian Federation (RUS)
Language：
RUSSIAN (RU)
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