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J-GLOBAL ID：200902131043587675   Reference number：98A0913539

Optical absorption of amorphous semiconductors Ge₂₀As₃₀Se_50-xTe_x and the effect of γ-irradiation.

非晶質半導体Ge₂₀As₃₀Se_50-xTe_xの光吸収とγ線照射の効果

Author (3)： MAGED A F (National Centre for Radiation Res. and Technol., Cairo, EGY) ,  MONTASSER K I (Al-Azhar Univ., Cairo, EGY) ,  AMER H H (National Centre for Radiation Res. and Technol., Cairo, EGY)
Material： Materials Chemistry and Physics  (Mater Chem Phys)
Volume： 56  Issue： 2  Page： 184-188  Publication year： Oct. 01, 1998 
JST Material Number： E0934A  ISSN： 0254-0584  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *amorphous semiconductor ,...

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JST classification (2)： Structure of amorphous semiconductors  (BK04030O) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (3)： 非晶質半導体 ,  光吸収 ,  γ線