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J-GLOBAL ID：200902131046188380   Reference number：97A0524395

Control of InAs/GaAs self-assembled islands by annealing in GS-MBE.

GS-MBE成長InAs/GaAs自己形成量子点のアニール効果

Author (5)： REN H-W (JST) ,  NISHI K (NEC Co.) ,  SUGOU S (JST) ,  SUGISAKI M (JST) ,  MASUMOTO Y (JST)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 44th  Issue： 0  Page： 1344  Publication year： Mar. 1997 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： MBE成長 ,  InAs ,  GaAs ,  自己形成 ,  量子点 ,  アニール効果