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J-GLOBAL ID：200902131050535389   Reference number：94A0429544

Application of real-time low-energy ion scattering spectroscopy to heterointerface formation processes of molecular beam epitaxially grown III-V compound semiconductors.

分子ビームエピタキシャル成長したIII-V化合物半導体のヘテロ界面形成過程に対する実時間低エネルギーイオン散乱分光法の適用

Author (7)： TAMURA M (Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN) ,  SAITOH T (Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUGIYAMA N (Toshiba R&D Center, Kawasaki, JPN) ,  HASHIMOTO A (Fukui Univ., Fukui, JPN) ,  OHKOUCHI S (Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN) ,  IKOMA N (Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN) ,  MORISHITA Y (Optoelectronics Technology Research Lab., Ibaraki, JPN)
Material： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
Volume： 85  Issue： 1/4  Page： 404-413  Publication year： Mar. 1994 
JST Material Number： H0899A  ISSN： 0168-583X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ion scattering spectroscopy ,...
Semi thesaurus term： ion-beam analysis ,...

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JST classification (2)： Radiochemical analysis of metals and alloys  (CC06040Q) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタキシャル成長 ,  III-V化合物半導体 ,  ヘテロ界面 ,  形成過程 ,  実時間 ,  低エネルギーイオン散乱分光法