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J-GLOBAL ID：200902131051506196   Reference number：00A0845183

Highly Robust Ultrathin Silicon Nitride Films Grown at Low-Temperature by Microwave-Excitation High-Density Plasma for Giga Scale Integration.

ギガスケール集積回路に用いる,マイクロ波励起高密度プラズマを用いた高ロバスト性超薄シリコン窒化膜の低温成長

Author (4)： SEKINE K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITO Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIRAYAMA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHMI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 47  Issue： 7  Page： 1370-1374  Publication year： Jul. 2000 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： PMOS structure ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： スケール ,  集積回路 ,  マイクロ波 ,  励起 ,  高密度プラズマ ,  ロバスト性 ,  シリコン窒化膜 ,  低温成長