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J-GLOBAL ID：200902165037962091   Reference number：93A0933509

Etching of InAs in HCl Gas and Selective Removal of InAs Layer on GaAs in Ultrahigh-Vacuum Processing System.

超高真空プロセス装置内でのHClガスを用いたInAsのエッチングとGaAs上のInAs層の選択除去

Author (6)： KADOYA Y (JRDC, Tokyo) ,  YOSHIDA T (JRDC, Tokyo) ,  SOMEYA T (Univ. Tokyo, Tokyo) ,  AKIYAMA H (Univ. Tokyo, Tokyo) ,  NOGE H (JRDC, Tokyo) ,  SAKAKI H (Univ. Tokyo, Tokyo)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 32  Issue： 10B  Page： L1496-L1499  Publication year： Oct. 15, 1993 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dry etching ,...

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JST classification (2)： Techniques for samples  (BA02070O) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： 高真空 ,  プロセス装置 ,  HClガス ,  InAs ,  エッチング ,  GaAs