Art

J-GLOBAL ID：200902165042314308   Reference number：96A0636366

Visible photoluminescence from silicon nanocrystals formed in silicon dioxide by ion implantation and thermal processing.

イオン注入と熱処理により二酸化けい素中に形成したシリコンナノ結晶からの可視-光ルミネセンス

Author (6)： SHIMIZU-IWAYAMA T (Aichi Univ. Education, Aichi, JPN) ,  TERAO Y (Aichi Univ. Education, Aichi, JPN) ,  KAMIYA A (Aichi Univ. Education, Aichi, JPN) ,  TAKEDA M (Aichi Univ. Education, Aichi, JPN) ,  NAKAO S (National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN) ,  SAITOH K (National Industrial Res. Inst. Nagoya, Nagoya, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 276  Issue： 1/2  Page： 104-107  Publication year： Apr. 15, 1996 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon dioxide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0636366&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Irradiational changes of other materials  (BK16124V)

Terms in the title (5)： イオン注入 ,  熱処理 ,  二酸化けい素 ,  シリコンナノ結晶 ,  光ルミネセンス