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J-GLOBAL ID：200902165089236755   Reference number：97A0464396

A spectroscopic study of GaAs homojunction internal photoemission far infrared detectors.

GaAsホモ接合内部光電子放出遠赤外検出器の分光的研究

Author (7)： SHEN W Z (Georgia State Univ., GA, USA) ,  PERERA A G U (Georgia State Univ., GA, USA) ,  GAMAGE S K (Georgia State Univ., GA, USA) ,  YUAN H X (Georgia State Univ., GA, USA) ,  LIU H C (National Res. Council, Ottawa, Canada, CAN) ,  BUCHANAN M (National Res. Council, Ottawa, Canada, CAN) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., NY, USA)
Material： Infrared Physics & Technology  (Infrared Phys Technol)
Volume： 38  Issue： 3  Page： 133-138  Publication year： Apr. 1997 
JST Material Number： H0184A  ISSN： 1350-4495  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...
Semi thesaurus term： carrier

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JST classification (3)： Infrared photometry and photodetectors  (BD07032W) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Terms in the title (7)： GaAs ,  ホモ接合 ,  光電子放出 ,  遠赤外 ,  検出器 ,  分光 ,  研究