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J-GLOBAL ID：200902165119289042   Reference number：99A0213609

Anomalous reactivity of InAs-deposited GaAs surfaces.

InAs蒸着のGaAs表面の異常反応性

Author (2)： SASAKI M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO S (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Conference Proceedings. IEEE International Conference on Indium Phosphide and Related Materials  (Conf Proc IEEE Int Conf Indium Phosphide Relat Mater)
Volume： 10th  Page： 579-582  Publication year： 1998 
JST Material Number： W0731A  ISSN： 1092-8669  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： InAs ,  蒸着 ,  GaAs ,  反応性