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J-GLOBAL ID：200902165136487591   Reference number：96A0420393

Porous Interlayer Dielectric Materials Formed by Chemical Modification of a SOG Sol.

SOGゾルの化学修飾による多孔質層間絶縁膜材料の形成

Author (1)： AOI NOBUO (松下電器産業 半導体研セ)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 43rd  Issue： 2  Page： 653  Publication year： Mar. 1996 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： SOG ,  ゾル ,  化学修飾 ,  多孔質 ,  層間絶縁膜