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J-GLOBAL ID：200902165172906916   Reference number：99A0012064

Impact of the free electron distribution on the random telegraph signal capture kinetics in submicron n-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

サブミクロンnチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおけるランダムな電信符号捕獲運動学に及ぼす自由電子分布の影響

Author (5)： LUKYANCHIKOVA N B (Inst. Semiconductor Physics, Kiev, UKR) ,  PETRICHUK M V (Inst. Semiconductor Physics, Kiev, UKR) ,  GARBAR N P (Inst. Semiconductor Physics, Kiev, UKR) ,  SIMOEN E (IMEC, Leuven, BEL) ,  CLAEYS C (IMEC, Leuven, BEL)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 73  Issue： 17  Page： 2444-2446  Publication year： Oct. 26, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： inversion layer(electronic structure) ,...
Semi thesaurus term： telegraph code

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (9)： サブ ,  Nチャネル ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  電信符号 ,  捕獲 ,  運動学 ,  自由電子 ,  分布